| X射线对金硅界面剂量增强效应的模拟研究 |
| |
| 引用本文： | 吴正新,何承发,陆妩,郭旗,艾尔肯阿不列木,于新,张磊,邓伟,郑齐文.X射线对金硅界面剂量增强效应的模拟研究[J].核技术,2013(6):10-15. |
| |
| 作者姓名： | 吴正新 何承发 陆妩 郭旗 艾尔肯阿不列木 于新 张磊 邓伟 郑齐文 |
| |
| 作者单位： | 新疆大学物理科学与技术学院;中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(10775178)资助 |
| |
| 摘 要： | 本文以光子与物质的相互作用机制为基础,论述了剂量增强效应的基本原理。用蒙特卡罗方法研究了金和硅交界时X射线入射产生的剂量梯度分布,通过MCNP5程序建立了一个三维的金硅界面结构模型,计算了不同厚度的金在金硅界面的剂量增强因子。计算结果表明:当X射线为30–300 keV时,界面附近硅一侧存在较大的剂量增强效应。金的厚度影响界面附近的剂量增强效果,当金的厚度为0–10 m时,剂量增强因子随金的厚度增大;当金的厚度超过10 m后,剂量增强因子随金厚度的增加而减少。
|
| 关 键 词： | 蒙特卡罗方法 剂量增强因子 界面 能量沉积 体元 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
