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| 溅射功率对M型钡铁氧体薄膜磁性能的影响 | |
| 引用本文： | 朱光伟,余忠,孙科,许志勇,张霞,兰中文.溅射功率对M型钡铁氧体薄膜磁性能的影响[J].磁性材料及器件,2013(3):4-7. |
| 作者姓名： | 朱光伟 余忠 孙科 许志勇 张霞 兰中文 |
| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(51101028);中央高校基金资助项目(E022050205) |
| 摘 要： | 采用射频磁控溅射法制备了c轴垂直膜面取向的M型钡铁氧体(BaM)薄膜,研究了溅射功率对BaM薄膜取向及磁性能的影响。结果表明,在溅射功率为80W、110W、140W和170W时所制备的BaM薄膜均具有一定程度的c轴垂直膜面取向,但溅射功率的增高会造成薄膜内晶粒取向混乱,导致薄膜磁晶各向异性降低;当溅射功率为140W时,薄膜具有最高饱和磁化强度(Ms)303kA/m和最小面外方向矫顽力(Hc⊥)191kA/m;适当低的溅射功率更有利于制得磁晶各向异性强的薄膜。 |
| 关 键 词： | BaM薄膜 射频磁控溅射 溅射功率 c轴取向 磁性能 |
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