| 在SixGe1-xC0.02衬底上直接生长石墨烯 |
| |
| 引用本文： | 魏胜,彭猛,李民权,罗军. 在SixGe1-xC0.02衬底上直接生长石墨烯[J]. 半导体技术, 2015, 40(7). DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.07.011 |
| |
| 作者姓名： | 魏胜 彭猛 李民权 罗军 |
| |
| 作者单位： | 安徽大学 智能计算与信号处理重点实验室,合肥230039;中国科学院 微电子研究所 微电子器件与集成技术重点实验室,北京100029;中国科学院 微电子研究所 微电子器件与集成技术重点实验室,北京,100029 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
| |
| 摘 要： | 基于锗衬底在石墨烯生长方面的自限制生长和表面催化特性,以甲烷(CH4)和氢气(H2)为前驱体,采用化学气相沉积(CVD)法分别在锗硅碳(SixGe1-xC0.02)(x=0.15,0.25,0.73)衬底和外延锗上直接生长石墨烯.研究了不同Si组分、H2与CH4体积流量比和生长温度对石墨烯质量的影响.利用光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)以及喇曼光谱对衬底和生长的石墨烯进行了表征分析.喇曼光谱结果表明,Si0.5Ge0.85C0.02衬底在750℃下可以生长出石墨烯,调节气体H2与CH4的体积流量比为50∶0.5时,生长出的石墨烯是双层的.OM和SEM结果表明,锗硅碳衬底具有比锗更好的热稳定性,高温下不会升华.
|
| 关 键 词： | 锗硅碳(SixGe1-xC0.02) 化学气相沉积(CVD) 外延Ge 石墨烯 热稳定性 |
Direct Growth of Graphene on SixGe1-xC0.02 Substrate |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | SixGe1-xC0.02 chemical vapor deposition (CVD) epitaxial germanium graphene thermal stability |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
