| 动态应力对AlGaN/GaN HEMT性能的影响 |
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| 引用本文： | 刘琨,朱慧,冯士维,石磊,张亚民,郭春生.动态应力对AlGaN/GaN HEMT性能的影响[J].半导体技术,2015,40(8):626-630. |
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| 作者姓名： | 刘琨 朱慧 冯士维 石磊 张亚民 郭春生 |
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| 作者单位： | 北京工业大学 电子信息与控制工程学院,北京,100124;北京工业大学 电子信息与控制工程学院,北京,100124;北京工业大学 电子信息与控制工程学院,北京,100124;北京工业大学 电子信息与控制工程学院,北京,100124;北京工业大学 电子信息与控制工程学院,北京,100124;北京工业大学 电子信息与控制工程学院,北京,100124 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61201046;61376077)，北京市自然科学基金资助项目(4122005;2132023)，高等学校博士学科点专项科研基金.资助项目(20121103120019)，北京工业大学博士生创新基金资助项目(YB201404) |
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| 摘 要： | AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件在实际应用过程中经常受到由于振动、热胀冷缩等原因引起的动态应力.为了研究动态应力对器件性能带来的影响,利用自主设计的应力机械装置对AlGaN/GaN HEMT芯片持续施加峰值大小为150 MPa,频率为3 Hz的交变应力.施加应力过程中,每隔一定的应力周期对器件进行电学特性测量,得到了不同应力周期下的输出特性曲线和转移特性曲线.研究分析了随着应力周期的增加输出电流和跨导的变化,研究结果表明,器件的输出电流和跨导随着施加动态应力周期的增加而减小.随着动态应力的加载,器件将产生缺陷,是器件发生退化的原因.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 交变应力 电学特性 kink效应 缺陷 |
Effect of the Dynamic Stress on the Properties of the AlGaN/GaN HEMTs |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN/AlGaN high election mobility stransistor (HEMT) alternating stress electrical property kink effect defect |
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