| 毫米波GaN基HEMT功率MMIC |
| |
| 引用本文： | 宋建博,方家兴,程知群,崔玉兴,张力江,付兴昌,高学邦. 毫米波GaN基HEMT功率MMIC[J]. 半导体技术, 2015, 40(6). DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.06.003 |
| |
| 作者姓名： | 宋建博 方家兴 程知群 崔玉兴 张力江 付兴昌 高学邦 |
| |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051;杭州电子科技大学,电子信息学院,杭州310018 |
| |
| 摘 要： | 基于标准的SiC衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺研制了毫米波段单片微波集成电路(MMIC)芯片.首先采用插入隔离层的方式得到复合沟道AlxGa1-xN/AlN/AlyGa1-yN/GaN HEMT结构.以EEHEMT模型作为粗糙模型,采用神经空间路线图的方法建立了人工神经网络模型,更好地表征了器件特性,提高了模型在毫米波下的精度.基于器件模型,进行了毫米波MMIC的设计,运用网络综合设计出简洁的电路拓扑和最优的宽带性能.芯片工艺采用0.2 μm介质栅场板结构提高器件的微波性能.研制的2级功率MMIC在27～ 30 GHz频段,工作电压25 V时,输出功率大于2.6W,功率附加效率大于15％,功率增益大于9 dB.
|
| 关 键 词： | 氮化镓 毫米波 模型 功率单片微波集成电路(MMIC) 人工神经网络 |
Millimeters Wave GaN-Based HEMT Power MMIC |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | GaN millimeters wave model power MMIC artificial neural network |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
