| 基于GaAs PHEMT的5～12 GHz收发一体多功能芯片 |
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| 引用本文： | 李明,吴洪江,魏洪涛,韩芹.基于GaAs PHEMT的5～12 GHz收发一体多功能芯片[J].半导体技术,2015,40(1). |
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| 作者姓名： | 李明 吴洪江 魏洪涛 韩芹 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051 |
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| 摘 要： | 基于GaAs赝高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一种5～ 12 GHz的收发一体多功能芯片(T/R MFC),其具有噪声低、增益高和中等功率等特点.电路由低噪声放大器和多个单刀双掷(SPDT)开关构成.为了获得较低的噪声系数和较大的增益,低噪声放大器采用自偏置三级级联拓扑结构;为了获得较高的隔离度和较低的插入损耗,SPDT开关采用串并联结构.测试结果表明,在5～ 12 GHz频段内,收发一体多功能芯片的小信号增益大于26 dB,噪声系数小于4 dB,输入/输出电压驻波比小于2.0,1 dB压缩点输出功率大于15 dBm.其中,放大器为单电源5V供电,静态电流小于120 mA;开关控制电压为-5 V/0 V.芯片尺寸为2.65 mm×2.0 mm.
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| 关 键 词： | GaAs赝高电子迁移率晶体管(PHEMT) 自偏置结构 收发一体多功能芯片 低噪声放大器 单刀双掷(SPDT)开关 |
5-12 GHz Multi-Function Transmit/Receive Chip Based on GaAs PHEMTs |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT) self-biased structure multi-function transmit/receive chip (T/R MFC) low noise amplifier sing-pole double-throw (SPDT) switch |
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