| 一种新型低阳极发射效率快恢复二极管 |
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| 引用本文： | 何延强,刘钺杨,吴迪,金锐,温家良. 一种新型低阳极发射效率快恢复二极管[J]. 半导体技术, 2015, 0(12): 911-915. DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.12.006 |
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| 作者姓名： | 何延强 刘钺杨 吴迪 金锐 温家良 |
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| 作者单位： | 国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所,北京,102211 |
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| 摘 要： | 采用局域注入p型离子和高温推结的方式得到高掺杂p+区和低掺杂p-区规律性的浓度梯度变化,研制了新型低阳极发射效率二极管.与常规结构二极管相比,此结构在工艺实现时,制造工艺条件、掩模版数量保持不变,只需设计高掺杂p+区和低掺杂p-区层次掩模版图案,即可实现发射极注入效率的自调节,制造成本低;其反向恢复电荷减小了30.4％,反向电流峰值减小了29％,反向电压峰值减小了6.7％,反向恢复时间减小了11％,开关器件的工作损耗降低,折衷性能更加优良;在VF基本相当的情况下,反向恢复软度特性更优.
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| 关 键 词： | 快恢复二极管(FRD) 低阳极发射效率 导通压降 反向恢复电荷 反向恢复电流峰值 |
A Novel Fast Recovery Diode with Low Anode Emission Efficiency |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | fast recovery diode (FRD) low anode emission efficiency on-state voltage reverse recovery charge reverse recovery current peak |
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