| DCIV技术表征MOS/SOI界面陷阱能级密度分布 |
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| 引用本文： | 赵洪利,曾传滨,刘魁勇,刘刚,罗家俊,韩郑生. DCIV技术表征MOS/SOI界面陷阱能级密度分布[J]. 半导体技术, 2015, 40(1): 63-67. DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.01.013 |
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| 作者姓名： | 赵洪利 曾传滨 刘魁勇 刘刚 罗家俊 韩郑生 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京100029;辽宁大学物理学院,沈阳110036;中国科学院微电子研究所,北京100029;辽宁大学物理学院,沈阳110036 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 基于直流电流电压(DCIV)理论和界面陷阱能级U型对称分布模型,可以获取硅界面陷阱在禁带中的分布,即利用沟道界面陷阱引起的界面复合电流与不同源/漏-体正偏电压(Vpn)的函数关系,求出对应每个Vpn的有效界面陷阱面密度(Neff),通过Neff函数与求出的每个Neff值作最小二乘拟合,将拟合参数代入界面陷阱能级密度(DIT)函数式,作出DIT的本征分布图.分别对部分耗尽的nMOS/SOI和pMOS/SOI器件进行测试,得到了预期的界面复合电流曲线,并给出了器件界面陷阱能级密度的U型分布图.结果表明,两种器件在禁带中央附近的陷阱能级密度量级均为109 cm-2·eV-1,而远离禁带中央的陷阱能级密度量级为1011 cm-2·eV-1.
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| 关 键 词： | 直流电流电压(DCIV) 金属氧化物半导体/绝缘体上硅(MOS/SOI) 有效界面陷阱面密度 最小二乘拟合 U型分布 |
Characterization of the Interface Traps Energy Density Distribution of MOS/SOI Devices by the DCIV Technique |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | DC current-voltage (DCIV) metal oxide semiconductor/silicon on insulator (MOS/SOI) effective interface trap surface density least-squares-fit U-shaped distribution |
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