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MMIC在T/R组件中的应用
引用本文:刘秀博,吴洪江. MMIC在T/R组件中的应用[J]. 半导体技术, 2015, 0(11): 810-814. DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.11.002
作者姓名:刘秀博  吴洪江
作者单位:中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051
摘    要:采用单片微波集成电路(MMIC)芯片技术和多芯片组件(MCM)微组装工艺,设计了一款小尺寸双通道发射接收(T/R)组件.组件由环形器、限幅器芯片、低噪声放大器(LNA)芯片、幅相控制多功能芯片、驱动放大器芯片和功率放大器芯片(PA)等部分构成.基于GaAs的LNA MMIC芯片具有更低噪声系数,基于GaN的PA MMIC芯片具有更高的输出功率及功率附加效率.组件接收通道采用基于GaAs的LNA芯片,发射通道采用基于GaN的PA芯片,设计了针对发射通道驱动放大器与功率放大器的协同脉冲调制电路.研制的T/R组件在8~12 GHz的频带内:接收通道在工作电压+5 V连续波的条件下,小信号增益大于20 dB,噪声小于3 dB;发射通道在周期1 ms,脉宽10%的调制脉冲条件下,脉冲发射功率大于46 dBm.T/R组件外形尺寸为70 mm×46 mm×15 mm.

关 键 词:单片微波集成电路(MMIC)  多芯片组件(MCM)  氮化镓  砷化镓  发射接收(T/R)组件

Application of MMIC for T/R Module
Abstract:
Keywords:monolithic microwave integrated circuit (MMIC)  multichip module (MCM)  GaN  GaAs  transmitter/receiver (T/R) module
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