| 基于Geant4的三维半导体器件单粒子效应仿真 |
| |
| 引用本文： | 国硕,毕津顺,罗家俊,韩郑生. 基于Geant4的三维半导体器件单粒子效应仿真[J]. 半导体技术, 2015, 40(8). DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.08.007 |
| |
| 作者姓名： | 国硕 毕津顺 罗家俊 韩郑生 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院 微电子研究所,北京,100029;中国科学院 微电子研究所,北京,100029;中国科学院 微电子研究所,北京,100029;中国科学院 微电子研究所,北京,100029 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(11179003 |
| |
| 摘 要： | 在空间中,辐射粒子入射半导体器件,会在器件中淀积电荷.这些电荷被器件的敏感区域收集,造成存储器件(如静态随机存储器(SRAM))逻辑状态发生变化,产生单粒子翻转(SEU)效应.蒙特卡洛工具-Geant4能够针对上述物理过程进行计算机数值模拟,可以用于抗辐射器件的性能评估与优化.几何描述标示语言(GDML)能够在Geant4环境下对器件模型进行描述.通过使用GDML建立三维的器件结构模型,并使用Geant4进行不同能量质子入射三维器件模型的仿真.实验结果表明,在三维器件仿真中低能质子要比高能质子更容易引起器件的单粒子翻转效应.
|
| 关 键 词： | 半导体器件 单粒子翻转(SEU)效应 三维模型 Geant4 线性能量转移(LET) |
Simulation of the Single Event Effect in 3D Semiconductor Devices Based on Geant4 |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | semiconductor device single event upset (SEU) effect 3D model Geant4 linear energy transfer (LET) |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
