| 用于监测硅片应力的红外光弹仪 |
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| 引用本文： | 兰天宝,潘晓旭,苏飞.用于监测硅片应力的红外光弹仪[J].半导体技术,2015,40(9):706-710. |
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| 作者姓名： | 兰天宝 潘晓旭 苏飞 |
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| 作者单位： | 北京航空航天大学航空科学与工程学院,北京,100191;北京航空航天大学航空科学与工程学院,北京,100191;北京航空航天大学航空科学与工程学院,北京,100191 |
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| 摘 要： | 为检测硅片在制造工艺中的应力变化,研制了可用于硅片应力检测/监测的红外光弹(IRPE)系统,获得了芯片的红外光弹图像.利用该系统得出了硅通孔(TSV)结构在退火过程中的应力变化,并发现虽然制造技术和工艺完全一样,但每个TSV的初始残余应力是不同的.不同的TSV取得零应力的温度点也不相同,然而当温度达到一定值时,所有TSV都将保持零应力状态.此外,该系统也用于晶圆键合质量的评价,相对于一般红外显微镜,其检测效果更佳,与超声法相比,其检测效果相当,但效率更高且不需耦合剂.
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| 关 键 词： | 硅通孔(TSV) 应力 光弹法 红外光弹(IRPE)系统 晶圆键合质量检测 |
Infrared Photoelastic Instrument Applied for Monitoring the Stress in Silicon |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | through silicon vias (TSV) stress photoelasticity infrared photoelastic (IRPE)system wafer bonding quality test |
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