| Ar/CO/NH3等离子体刻蚀多种磁性金属叠层 |
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| 引用本文： | 刘上贤,汪明刚,夏洋.Ar/CO/NH3等离子体刻蚀多种磁性金属叠层[J].半导体技术,2015,40(9). |
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| 作者姓名： | 刘上贤 汪明刚 夏洋 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室,北京100029;中国科学院微电子研究所集成电路测试技术北京市重点实验室,北京100029;中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室,北京100029;中国科学院微电子研究所集成电路测试技术北京市重点实验室,北京100029;中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室,北京100029;中国科学院微电子研究所集成电路测试技术北京市重点实验室,北京100029 |
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| 摘 要： | 基于磁性合金的等离子体刻蚀工艺,在中国科学院微电子研究所自主研发的刻蚀设备中,使用Ar,CO和NH3的混合气体对用于形成磁随机存储器(MRAM)的多种磁性金属叠层进行刻蚀.采用两步刻蚀的方法刻蚀了多层磁性金属叠层,每一步的刻蚀气体组分不同,研究了Ar气在混合气体中的体积分数对材料刻蚀速率和侧壁形貌的影响.结果表明,刻蚀速率随着Ar气体积分数的增加而增加,而侧壁倾角则随着Ar气体积分数的增加而减小.两步刻蚀的方法可以根据材料的结构特点来控制Ar离子轰击的作用,可以得到大于21.4 nm/min的刻蚀速率和约90°的侧壁倾角.
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| 关 键 词： | 磁性材料 等离子体刻蚀 Ar/CO/NH3 磁随机存储器(MRAM) 多步刻蚀 |
Ar/CO/NH3 Plasma Etching for Stacks of Various Magnetic Metals |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | magnetic material plasma etching Ar/CO/NH3 magnetic random access memory (MRAM) multi-step etching process |
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