| 功率快恢复二极管反偏ESD与雪崩耐量仿真 |
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| 引用本文： | 屈静,吴郁,刘钺杨,贾云鹏,匡勇,李蕊,苏洪源. 功率快恢复二极管反偏ESD与雪崩耐量仿真[J]. 半导体技术, 2015, 40(1): 24-28. DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.01.005 |
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| 作者姓名： | 屈静 吴郁 刘钺杨 贾云鹏 匡勇 李蕊 苏洪源 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京100124;国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所,北京100192 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，教育部博士点学科专项科研基金资助项目，国家电网公司科技项目 |
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| 摘 要： | 静电放电(ESD)失效与雪崩耐量是影响高压硅功率二极管,如功率快恢复二极管(FRD)性能及可靠性的两个主要因素.利用ISE TCAD平台,采用简明分段线性电流源,分别对功率FRD反偏ESD过程及雪崩耐量进行仿真计算,讨论二者的共性和差异.结果表明,器件外端电压波形均经历过冲、负阻振荡和平缓发展三个阶段,对应器件内部的“过耗尽”、雪崩注入、载流子及电场分布涨落等复杂变化,差别在于反偏ESD造成的电压过冲更明显,且出现典型的U型电场分布,与雪崩耐量相比对器件造成的影响更剧烈.为改善器件在反偏ESD和雪崩耐量测试过程中的电流丝化问题,考察了结构参数对器件抗ESD能力和雪崩耐量的影响,发现提高n-区掺杂浓度和阳极表面浓度对提高抗ESD能力和雪崩耐量起到促进作用.
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| 关 键 词： | 快恢复二极管(FRD) 静电放电(ESD) 雪崩耐量 电压过冲 雪崩注入 |
Simulation of Reverse Biased ESD and Avalanche Ruggedness of Power Fast Recovery Diode |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | fast recovery diode (FRD) electrostatic discharge (ESD) avalanche ruggedness voltage overshoot avalanche injection |
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