| GaN纳米线阵列的电子场发射研究 |
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| 引用本文： | 王新中,于广辉,李世国.GaN纳米线阵列的电子场发射研究[J].半导体技术,2015(8):616-620. |
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| 作者姓名： | 王新中 于广辉 李世国 |
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| 作者单位： | 1. 深圳信息职业技术学院,广东深圳,518029;2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61240015)，广东省高等学校优秀青年教师培养计划资助项目(Yq2013193)，深圳市科技计划项目(JCYJ20120615101957810 |
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| 摘 要： | 基于HCl辅助热蒸发GaN粉末的方法制备了纯净的一维GaN纳米线垂直阵列,重点研究了不同生长时间对应不同形貌的GaN纳米结构的电子场发射性能,以及氨气氛围下热退火对GaN纳米线阵列场发射性能的影响,并分析了其影响机理.通过对生长时间分别为20 min,60 min(未退火处理)与60 min(退火处理)的三组样品进行对比,结果显示:生长时间为60 min(未退火处理)的样品,电流密度达到1μA/cm2时的开启电场的值为2.1 V/μm,且获得1 mA/cm2的阈值电流密度也只需要4.5 V/μm的电场.
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| 关 键 词： | 氮化镓 纳米线 阵列 场发射 退火 电场 |
Research on Electron Field Emission of GaN Nanowire Arrays |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN nanowire array field emission annealing electric field |
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