| 8 kW高功率单刀四掷射频开关 |
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| 引用本文： | 吴家锋,吴程,赵夕彬.8 kW高功率单刀四掷射频开关[J].半导体技术,2015,40(7):516-520. |
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| 作者姓名： | 吴家锋 吴程 赵夕彬 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司 第十三研究所,石家庄,050051;江苏省江阴中等专业学校,江苏江阴,214400 |
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| 摘 要： | 介绍了pin二极管的工作原理,分析了大功率射频(RF)开关的主要参数及对应的设计方法,阐述了大功率射频开关设计过程中反向偏置电压的设计方法及安全性设计的考虑.运用ADS电路仿真软件对射频开关电路进行了仿真和优化,利用pin二极管的特性成功研制出了一款VHF波段8 kW高功率单刀四掷(SP4T)射频开关.研制出的SP4T开关控制电平为0～-1 000 V的差分信号,可承受峰值功率大于8 kW,平均功率大于1.5 kW,当脉宽为60 μs、占空比为25％时,插入损耗小于0.3dB,输入驻波比小于1.3∶1,开关隔离度大于55 dB,转换时间小于50 μs.
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| 关 键 词： | pin二极管 单刀四掷开关(SP4T) 峰值功率 隔离度 转换时间 |
8 kW High Power SP4T RF Switch |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | pin diode single pole four through (SP4T) peak power isolation transfer time |
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