| GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的量子阱参数设计 |
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| 引用本文： | 张世伟,齐利芳,赵永林,李宁.GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的量子阱参数设计[J].半导体技术,2015,40(7). |
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| 作者姓名： | 张世伟 齐利芳 赵永林 李宁 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司 第十三研究所,石家庄,050051;中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海,200083 |
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| 摘 要： | 量子阱参数如势阱宽度、势垒高度和阱中的掺杂浓度决定了阱中的能级分布及光学吸收,它和量子阱红外探测器(QWIP)的响应波长、暗电流、响应率、探测率等特性参数密切相关.为了使设计的QWIP达到预期的各种性能指标,对其各参量进行了精心设计.运用量子阱的第一激发态与势垒的高度接近时产生共振效应,进行了量子阱的优化设计,得出垒高和阱宽的关系.另外,根据器件光谱响应的要求,利用传输矩阵法计算出相应的量子阱参数.此设计方法在GaAs/AlGaAs长波-长波双色QWIP中得到了较好的验证.
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| 关 键 词： | 量子阱红外探测器(QWIP) 暗电流 光谱响应 探测率 双色 |
Quantum Well Parameters Design of the GaAs/AlGaAs Quantum Well Infrared Photodetector |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | quantum well infrared photodetector (QWIP) dark current spectrum response detectivity double color |
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