| 源漏硅化物扩散层分离技术对SOINMOS抗ESD的影响 |
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| 引用本文： | 宋文斌,许高博,曾传滨,韩郑生. 源漏硅化物扩散层分离技术对SOINMOS抗ESD的影响[J]. 功能材料与器件学报, 2008, 14(6) |
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| 作者姓名： | 宋文斌 许高博 曾传滨 韩郑生 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用金属硅化物扩散层分隔技术制备了源漏区具有不同硅化物挡板尺寸的环型栅PD SOIMOSFETs,通过CLP实验数据分析器件的硅化物隔离档板的尺寸对SOI NMOSTET抗ESD能力以及对多指栅ggnMOS管子导通均匀性的影响.结果显示,采用了硅化物隔离挡板的管子二次击穿电压明显提高;随着挡板尺寸增加,多指栅的导通均匀性得到明显改善.
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| 关 键 词： | 绝缘体上硅SOI ESD 源漏硅化物 二次击穿 导通电阻 栅接地NMOS器件 |
Influence of silicide on the ESD protection in SOI NMOSFETs |
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| SONG Wen-bin,XU Gao-bo,ZENG Chuan-bin,HAN Zheng-sheng. Influence of silicide on the ESD protection in SOI NMOSFETs[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2008, 14(6) |
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| Authors: | SONG Wen-bin XU Gao-bo ZENG Chuan-bin HAN Zheng-sheng |
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| Affiliation: | SONG Wen-bin,XU Gao-bo,ZENG Chuan-bin,HAN Zheng-sheng(Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China) |
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| Abstract: | Salicide-blocked PD SOI nMOSFETs were fabricated using LOCOS process with different Salicide-block sizes.We investigate these device failure under ESD stress through CLP experiment data.The results show that no-salicided PD-SOI MOSFETs have greater second-breakdown current per micron width(It2).And it can be inferred that salicided-block plays a very important role in triggering all the fingers in a multi-finger SOI devices. |
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| Keywords: | ESD |
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