| La2/3Sr1/3MnO3/ZnO混合物薄膜的磁电阻和伏安特性研究 |
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| 引用本文： | 金克新,赵省贵,谭兴毅,陈长乐.La2/3Sr1/3MnO3/ZnO混合物薄膜的磁电阻和伏安特性研究[J].无机材料学报,2009,24(3):591-594. |
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| 作者姓名： | 金克新 赵省贵 谭兴毅 陈长乐 |
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| 作者单位： | 西北工业大学理学院应用物理系，西安710072 |
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| 摘 要： | 利用脉冲激光沉积的方法在Si（100）氧化成SiO2的基片上制备了(La2/3Sr1/3MnO3)x/(ZnO)1-x混合物薄膜，研究了薄膜的磁电阻和伏安特性. X射线衍射分析表明，除了衬底SiO2的衍射峰以外，分别出现了La2/3Sr1/3MnO3（101）的衍射峰和ZnO（002）的衍射峰，且它们形成了两相共存体系. 实验表明：x=0.3的混合物薄膜表现为半导体导电特性，而x=0.4的样品则出现了典型的金属绝缘相变. 所制备的样品表现出了低场磁电阻效应和非线性伏安特性. 在0.7T磁场的作用下，x=0.3的样品在温度为60K时取得的最大磁电阻值为28.8%. 通过对伏安关系拟合表明，在La2/3Sr1/3MnO3和ZnO颗粒之间存在一定的耗尽层，且产生了界面缺陷态.
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| 关 键 词： | 锰氧化物颗粒薄膜 磁电阻效应 伏安特性 |
| 收稿时间： | 2008-7-23 |
| 修稿时间： | 2008-9-9 |
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