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| 毫米波InP体效应管的初步结果 | |
| 作者姓名： | 邓衍茂 |
| 摘 要： | <正>InP材料的某些优良特性使InP毫米波体效应器件对于GaAs器件具有明显的竞争潜力.由于InP材料具有峰谷比高、谷间散射时间短、饱和漂移速度大、电子扩散系数与迁移率之比较低、热导率较高等优点,因而有利于提高器件的工作频率、效率以及降低噪声.我们在GaAs体效应管的研制基础上,采用本所的InP单晶及外延材料,对毫米波InP体效应管进行了初步实验研究. |
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