| RLVIP技术制备Ge1-xCx薄膜的X射线光电子能谱 |
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| 引用本文： | 王彤彤,高劲松,宋琦,王笑夷,陈红,郑宣鸣,申振峰.RLVIP技术制备Ge1-xCx薄膜的X射线光电子能谱[J].光学精密工程,2008,16(4). |
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| 作者姓名： | 王彤彤 高劲松 宋琦 王笑夷 陈红 郑宣鸣 申振峰 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,光学技术研究中心,吉林,长春,130033;中国科学院,研究生院,北京,100039
2. 中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,光学技术研究中心,吉林,长春,130033 |
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| 摘 要： | 应用低压反应离子镀(RLVIP)技术在Ge基底上沉积了Get1-xCx薄膜.制备过程中,低压等离子源作为辅助等离子源,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体,在相同的沉积条件下以不同的沉积速率制备了C含量(x)从0.23到0.78的Ge1-xCx薄膜.X射线衍射测试表明制备的Ge1-xCx薄膜为无定形结构.用X射线光电子能谱研究了不同C含量下Ce1-xCx薄膜中C的化学键合变化.研究结果表明;当x>0.78时,成键为C-H键;当x为0.53～0.62时,成键为C-C键;当x<0.47时,成键为Ge-C键.
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| 关 键 词： | Ge1-xCx薄膜 低压反应离子镀 X射线光电子能谱 离子辅助沉积 |
X-ray photoelectron spectroscopy of Ge1-xCx thin films prepared by RLVIP technique |
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| WANG Tong-tong,GAO Jin-song,SONG Qi,WANG Xiao-yi,CHEN Hong,ZHENG Xuan-ming,SHEN Zhen-feng.X-ray photoelectron spectroscopy of Ge1-xCx thin films prepared by RLVIP technique[J].Optics and Precision Engineering,2008,16(4). |
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| Authors: | WANG Tong-tong GAO Jin-song SONG Qi WANG Xiao-yi CHEN Hong ZHENG Xuan-ming SHEN Zhen-feng |
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