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| 离子辅助制备碳化硅改性薄膜 | |
| 引用本文： | 陈红,高劲松,宋琦,王彤彤,申振峰,王笑夷,郑宣鸣,范镝.离子辅助制备碳化硅改性薄膜[J].光学精密工程,2008,16(3). |
| 作者姓名： | 陈红 高劲松 宋琦 王彤彤 申振峰 王笑夷 郑宣鸣 范镝 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;中国科学院,研究生院,北京,100039 2. 中国科学院,研究生院,北京,100039 3. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033 |
| 摘 要： | 介绍了一种利用霍尔型离子源辅助电子束蒸发,在反应烧结碳化硅(RB-SiC)材料上制备硅改性薄膜的方法,研究了不同沉积速率下薄膜改性后的抛光效果.对样品进行了表面散射及反射的测量.通过样品的显微照片可知,硅膜层在沉积速率增大的条件下结构趋于疏松.在精细抛光镀制有硅改性薄膜的反应烧结碳化硅样品后,表面散射系数减小到1.46%,反射率接近抛光良好的微晶玻璃.温度冲击实验和表面拉力实验表明:硅膜无龟裂和脱落,性质稳定,与碳化硅基底结合良好. |
| 关 键 词： | 反应烧结碳化硅 表面改性 离子辅助沉积 霍尔源 表面散射系数 |
Si modified coating on SiC substrate by ion beam assisted deposition |
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| CHEN Hong,GAO Jin-song,SONG Qi,WANG Tong-tong,SHEN Zhen-feng,WANG Xiao-yi,ZHENG Xuan-ming,FAN Di.Si modified coating on SiC substrate by ion beam assisted deposition[J].Optics and Precision Engineering,2008,16(3). | |
| Authors: | CHEN Hong GAO Jin-song SONG Qi WANG Tong-tong SHEN Zhen-feng WANG Xiao-yi ZHENG Xuan-ming FAN Di |
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