| 反应烧结碳化硅表面改性的初步研究 |
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| 引用本文： | 王彤彤,高劲松,王笑夷,陈红,郑宣鸣,范镝,申振峰.反应烧结碳化硅表面改性的初步研究[J].光学精密工程,2008,16(9). |
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| 作者姓名： | 王彤彤 高劲松 王笑夷 陈红 郑宣鸣 范镝 申振峰 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所光学技术研究中心,吉林,长春,130033;中国科学院,研究生院,北京,100039
2. 中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所光学技术研究中心,吉林,长春,130033 |
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| 摘 要： | 应用电子束蒸发硅,霍尔离子源电离甲烷,并辅助沉积的方法在反应烧结碳化硅(RB SiC)基底上沉积了碳化硅(SiC:H)改性薄膜.X射线衍射(XRD)测试表明制备的碳化硅改性薄膜为α相.通过控制沉积速率,制备了硬度为9.781～13.087GPa,弹性模量为89.344～123.413GPa的碳化硅改件薄膜.比较同样条件下镀制银膜的抛光良好微晶玻璃和经过精细抛光的改性 RB SiC,结果表明两者反射率相近;附着力实验表明,制备的薄膜和基底结合良好;在温度冲击实验下,制备的薄膜无龟裂和脱落.
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| 关 键 词： | 薄膜制备 碳化硅薄膜 表面改性 离子辅助电离 硬度和弹性模量 |
Preliminary study of reaction bonded silicon carbide surface modification |
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| WANG Tong-tong,GAO Jin-song,WANG Xiao-yi,CHEN Hong,ZHENG Xuan-ming,FAN Di,SHEN Zhen-feng.Preliminary study of reaction bonded silicon carbide surface modification[J].Optics and Precision Engineering,2008,16(9). |
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| Authors: | WANG Tong-tong GAO Jin-song WANG Xiao-yi CHEN Hong ZHENG Xuan-ming FAN Di SHEN Zhen-feng |
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