半导体氧化物SnO2气敏元件研制中的几个有关机理问题 |
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引用本文: | 李长顺.半导体氧化物SnO2气敏元件研制中的几个有关机理问题[J].山西电子技术,1996(1):22-24. |
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作者姓名: | 李长顺 |
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作者单位: | 太原市电子局 |
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摘 要: | 采用半导体氧化物S_nO_2材料,烧结工艺所生产的气敏元件,对被测气体有较高的灵敏度,在被检测气体含量只有十几到几百PPm时,气敏元件的阻值就可以产生很大的变化,这种阻值变化只要接上简单的电路就可以变换为电压的变化而测量出来。采用SnO_2气敏元件制成的检测仪器有较高的灵敏度、电路简单、造价低廉、使用方便等优点。因此一直处于半导体氧化物电阻式气敏传感器的主流。 SnO_2气敏元件在稳定性、互换性、定量检测以及对不同气体有较理想的选择性等方面,问题还尚未很好解决。其主要原因是导电机理表面效应牵涉的因素复杂所致。有待进一步研究。
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关 键 词: | 半导体 氧化物 二氧化锡 气敏元件 |
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