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Ba(Mg1/3Ta2/3(1+x))O3陶瓷烧结性、微观结构及微波介电性能
引用本文:卞建江,赵梅瑜,姚尧,殷之文. Ba(Mg1/3Ta2/3(1+x))O3陶瓷烧结性、微观结构及微波介电性能[J]. 无机材料学报, 1998, 13(6): 830-834
作者姓名:卞建江  赵梅瑜  姚尧  殷之文
作者单位:中国科学院上海硅酸盐研究所!上海,200050,中国科学院上海硅酸盐研究所!上海,200050,中国科学院上海硅酸盐研究所!上海,200050,中国科学院上海硅酸盐研究所!上海,200050
摘    要:本文就BMT陶瓷B位Ta非化学计量比对其烧结性、微观结构及微波分电性能的影响进行了研究.发现:(1)位Ta过量可促进BMT的烧结,而Ta缺量则阻碍其烧结.(2)B位离子有序度不仅同缺陷的数量有关,而且还同其缺陷类型有关.B位Ta缺陷的存在阻碍其有序度的提高.(3)BMT样品的Q.f值随Ta过量的增加而降低.相对介电常数则随之增加.

关 键 词:B位非化学计量比  烧结  微观结构  微波介电性
收稿时间:1997-10-27
修稿时间:1998-12-02

Sinterability, Microstructure and Microwave Dielectric Properties ofBa(Mg_(1/3) Ta_[(2/3)(1 x)] O_3
BIAN Jian-Jiang,ZHAO Mei--Yu,YAO Yao,YIN Zhi-Wen. Sinterability, Microstructure and Microwave Dielectric Properties ofBa(Mg_(1/3) Ta_[(2/3)(1 x)] O_3[J]. Journal of Inorganic Materials, 1998, 13(6): 830-834
Authors:BIAN Jian-Jiang  ZHAO Mei--Yu  YAO Yao  YIN Zhi-Wen
Affiliation:ShanghaiInstituteofCeramics;ChineseAcademyofSciencesShanghai200050China
Abstract:
Keywords:B-site nonstoichiometry   sintering   microstructure   microwave dielectric properties  
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