| 金属Sn氧化薄膜的真空退火与原位XPS测量 |
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| 引用本文： | 严辉,马黎君,陈光华,黄世平,文华杰,郭伟民.金属Sn氧化薄膜的真空退火与原位XPS测量[J].无机材料学报,1998,13(1):65-70. |
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| 作者姓名： | 严辉 马黎君 陈光华 黄世平 文华杰 郭伟民 |
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| 作者单位： | 北京工业大学应用物理系!北京，100022，北京工业大学应用物理系!北京，100022，北京工业大学应用物理系!北京，100022，香港中文大学电子工程系!香港沙田，香港中文大学电子工程系!香港沙田，香港中文大学化学系!香港沙田 |
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| 摘 要： | 本文研究了在真空退火过程中金属Sn氧化薄膜表面L元素Sn和O的化学性质．利用X射线光电子能谱（XPS）的表面分析方法，发现在金属Sn氧化薄膜的表面上存在大量的吸附氧粒子（O-和）提高真空退火温度，吸附氧粒子的数量增加；同时吸附氧粒子的负电性变弱．当退火温度低于350℃时，吸附氧粒子数量的增加是起因于SnO2→Sn2O3的转变；在这种情况下，可以观察到Sn2O3是相对稳定的金属Sn氧化物，继续提高退火温度，达到400℃时，Sn在金属Sn中的相对含量急剧增大，Sn在金属Sn中相对含量增加的原因与金属Sn的价态Sn3 →Sn0的转变相关在这个转变过程中伴随着O的释放和薄膜表面氧粒子的进一步堆积．与温度低于350℃时的退火条件相比，XPS的测量也发现，在400℃的退火温度下；SnO2相对于Sn2O3反而成为比较稳定的金属Sn氧化物．还讨论了金属Sn氧化薄膜表面上吸附氧粒子的吸附状态以及吸附状态与退火温度的关系．
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| 关 键 词： | 金属Sn氧化薄膜 高温退火 原位XPS测量 |
| 收稿时间： | 1997-1-27 |
| 修稿时间： | 1997-3-7 |
Vacuum Annealing and in-Situ XPS Measurement of Oxidized Sn Films |
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| YAN Hui,MA Li-Jun,CHEN Guang-Hua,WONG Sei-Ping,MAN Wah-Kit,KWOK Wei-Man.Vacuum Annealing and in-Situ XPS Measurement of Oxidized Sn Films[J].Journal of Inorganic Materials,1998,13(1):65-70. |
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| Authors: | YAN Hui MA Li-Jun CHEN Guang-Hua WONG Sei-Ping MAN Wah-Kit KWOK Wei-Man |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | oxidized Sn film vacuum annealing in-situ XPS measurements |
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