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工作气压对氮化硼薄膜场发射特性的影响
引用本文:顾广瑞,吴宝嘉,金哲,郭振平,赵永年. 工作气压对氮化硼薄膜场发射特性的影响[J]. 延边大学学报(自然科学版), 2003, 29(4): 246-249
作者姓名:顾广瑞  吴宝嘉  金哲  郭振平  赵永年
作者单位:[1]延边大学理工学院物理系,吉林延吉133002 [2]吉林大学超硬材料国家重点实验室,吉林长春130012
摘    要:利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜,并在超高真空系统中测量了BN薄膜的场发射特性.研究发现,沉积时工作气压的变化对BN薄膜的场发射特性有很大影响,工作气压为2Pa时沉积的BN薄膜样品的场发射特性较好,其阈值电场为6V/μm,场发射电流为320μA/cm^2.F—N曲线表明,在外加电场的作用下,电子是通过隧道效应穿透BN薄膜表面势垒发射到真空的.

关 键 词:工作气压 氮化硼薄膜 场发射 射频磁控溅射方法 冷阴极
文章编号:1004-4353(2003)04-0246-04
修稿时间:2003-08-28

Influence of work gas pressure on field emission characteristics for BN thin films
GU Guang-rui,WU Bao-jia,JIN Zhe,GUO Zhen-ping,ZHAO Yong-nian. Influence of work gas pressure on field emission characteristics for BN thin films[J]. Journal of Yanbian University (Natural Science), 2003, 29(4): 246-249
Authors:GU Guang-rui  WU Bao-jia  JIN Zhe  GUO Zhen-ping  ZHAO Yong-nian
Affiliation:GU Guang-rui~1,WU Bao-jia~1,JIN Zhe~1,GUO Zhen-ping~1,ZHAO Yong-nian~2
Abstract:
Keywords:BN thin films  Field emission  Work gas pressure
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