| 非对称绝缘层无机EL显示器件的研究 |
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| 引用本文： | 肖田,林明通,陈国荣,杨云霞,徐毅,陈晨曦,楼均辉. 非对称绝缘层无机EL显示器件的研究[J]. 光电子技术, 2006, 26(2): 88-90 |
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| 作者姓名： | 肖田 林明通 陈国荣 杨云霞 徐毅 陈晨曦 楼均辉 |
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| 作者单位： | 华东理工大学材料科学与工程学院,上海,200237;上海广电电子股份有限公司,上海,200081;华东理工大学材料科学与工程学院,上海,200237;上海广电电子股份有限公司,上海,200081 |
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| 摘 要： | 非对称绝缘层无机EL显示器件是一种新颖的器件结构。成功制备了一批ZnS：Mn器件，其下介质层为厚100-200nm的SrTiO3（ST）或Ba0．5Sr0．5TiO3（BST）或Ta2O5薄膜，上介质层为厚600～1100nm的Ta2O5或ST／Ta2O5或HfO2／Ta2O5／Al2O3薄膜。发现以ST／Ta2O5为上介质层的器件具有适当的阈值电压、较高的L50和较陡的L—V曲线，以HfO2／Ta2O5／Al2O3为上介质层的器件具有较高的可靠性。
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| 关 键 词： | 薄膜电致发光器件 不对称绝缘层 阈值电压 L-V曲线 |
| 文章编号： | 1005-488X(2006)02-0088-03 |
| 收稿时间： | 2005-10-14 |
| 修稿时间： | 2005-10-14 |
Study on the Inorganic EL Devices with Asymmetric Insulating Layers |
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| XIAO Tian,LIN Ming-tong,CHEN Guo-rong,YANG Yun-xia,Xu Yi,CHEN Chen-xi,LOU Jun-hui. Study on the Inorganic EL Devices with Asymmetric Insulating Layers[J]. Optoelectronic Technology, 2006, 26(2): 88-90 |
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| Authors: | XIAO Tian LIN Ming-tong CHEN Guo-rong YANG Yun-xia Xu Yi CHEN Chen-xi LOU Jun-hui |
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| Affiliation: | 1. School of Materials Science and Engineering, East China University of Science and Technology, Shanghai, 200237, CHN; 2. SVA Electron Co. Ltd. , Shanghai, 200081, CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | TFEL device asymmetric insulating layer threshold voltage L-V curves |
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