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杂志ISSN号
离子束辅助沉积条件下Cu/Si系统相变化研究
作者姓名:
邱安平 程万君
摘 要:
研究在离子束条件下,硅基底上沉积金属薄膜,并研究其界面结构及退火条件下金属硅化物的形成和变化特点。
关 键 词:
离子束 金属硅化物 相变 薄膜 硅 真空镀膜
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