| 退火对非晶态碲镉汞薄膜微结构和光敏性的影响 |
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| 引用本文： | 李雄军, 孔金丞, 王光华, 余连杰, 孔令德, 杨丽丽, 邱锋, 李悰, 姬荣斌. 退火对非晶态碲镉汞薄膜微结构和光敏性的影响[J]. 红外技术, 2010, 32(5): 255-258. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.05.002 |
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| 作者姓名： | 李雄军 孔金丞 王光华 余连杰 孔令德 杨丽丽 邱锋 李悰 姬荣斌 |
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| 作者单位： | 昆明物理研究所,云南,昆明,650023 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目 |
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| 摘 要： | 对射频磁控溅射生长的非晶态碲镉汞(a-MCT)薄膜在真空状态下进行退火,并通过X射线衍射(XRD)技术指出原生及低于125℃退火后的MCT薄膜均为非晶态.采用双体相关函数g(r)和电学测试系统研究了退火对a-MCT薄膜微结构和光敏性的影响.结果表明:经110℃,115℃和120℃退火后的a-MCT薄膜短程有序畴Rs由退火前的13.9 分别增大至17.9 、20.8 和26.2 ;光敏性则由原来的1.17,分别增加至退火后的2.01、2.67和4.25.
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| 关 键 词： | 非晶态碲镉汞 (a-MCT) 退火 双体相关函数 光敏性 |
The Effect of Annealing on the Microstructure and Photosensitivity of Amorphous MCT Films |
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| LI Xiong-jun, KONG Jin-cheng, WANG Guang-hua, YU Lian-jie, KONG Ling-de, YANG Li-li, QIU feng, LI Cong, JI Rong-bin. The Effect of Annealing on the Microstructure and Photosensitivity of Amorphous MCT Films[J]. Infrared Technology , 2010, 32(5): 255-258. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.05.002 |
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| Authors: | LI Xiong-jun KONG Jin-cheng WANG Guang-hua YU Lian-jie KONG Ling-de YANG Li-li QIU feng LI Cong JI Rong-bin |
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| Affiliation: | LI Xiong-jun,KONG Jin-cheng,WANG Gguang-hua,YU Lian-jie,KONG Ling-de,YANG Li-li,Qiu feng,Li cong,JI Rong-bin(Kunming Institute of Physics,Kunming 650023,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Amorphous MCT(a-MCT) annealing pair correlation function photosensitivity |
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