| 脉冲激光沉积法合成Bi2Ti2O7介电薄膜及其光吸收特性 |
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| 引用本文： | 林元华 王建飞 何泓材 周剑平 周西松 南策文. 脉冲激光沉积法合成Bi2Ti2O7介电薄膜及其光吸收特性[J]. 半导体学报, 2005, 26(Z1): 74-77 |
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| 作者姓名： | 林元华 王建飞 何泓材 周剑平 周西松 南策文 |
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| 作者单位： | 林元华（清华大学材料系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084）;王建飞（清华大学材料系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084）;何泓材（清华大学材料系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084）;周剑平（清华大学材料系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084）;周西松（清华大学材料系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084）;南策文（清华大学材料系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084） |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA302120)和国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB613303)资助项目 |
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| 摘 要： | 控制单脉冲能量为350mJ,脉冲频率为5Hz,控制合适的基底温度,利用脉冲激光沉积法制备出Bi2Ti2O7薄膜材料.结果发现,SiO2基底温度控制在500～600℃,均能获得纯的Bi2Ti2O7薄膜.其介电常数约18.2左右,随频率变化比较稳定,介电损耗约0.015左右,并且在紫外波段200～450nm有着较强的紫外吸收能力,有望在微电子器件中获得应用.
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| 关 键 词： | Bi2Ti2O7 脉冲激光沉积法 介电性能 光吸收 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)S0-0074-04 |
| 修稿时间： | 2004-09-07 |
Preparation of DielectricBi2Ti2O7 Thin Film by Pulsed Laser Deposition Method andIts Optical Absorption Properties |
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| Lin Yuanhua. Preparation of DielectricBi2Ti2O7 Thin Film by Pulsed Laser Deposition Method andIts Optical Absorption Properties[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(Z1): 74-77 |
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| Authors: | Lin Yuanhua |
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