| 光寻址电位传感器的机理研究 |
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| 引用本文： | 梁卫国,韩泾鸿. 光寻址电位传感器的机理研究[J]. 半导体光电, 2001, 22(3): 184-187,210 |
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| 作者姓名： | 梁卫国 韩泾鸿 |
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| 作者单位： | 中国科学院电子学研究所 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;69977021; |
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| 摘 要： | 从半导体物理学及电化学的角度对光寻址电位传感器（LAPS）的机理进行了较为深入的研究。详细阐述了LAPS的基本构造，并通过分析LAPS的电路模型及少数载流子的影响得出了各种参数对LAPS的影响，从而为制造高性能的LAPS提供了理论基础。
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| 关 键 词： | 光寻址电位传感器 载流子 半导体物理学 电化学 |
| 文章编号： | 1001-5868(2001)03-0184-04 |
Research on Mechanism of Light Addressable Potentiometric Sensors |
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| LIANG Wei-guo,HAN Jing-hong. Research on Mechanism of Light Addressable Potentiometric Sensors[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2001, 22(3): 184-187,210 |
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| Authors: | LIANG Wei-guo HAN Jing-hong |
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| Abstract: | This paper describes in detail the mechanism of light addressable potentiometric sensors (LAPSs) from the viewpoint of semiconductor physics and electrochemistry. On the basis of analysis on the diffusion of minority carrier and the equivalent circuit of the LAPS, the effects of various parameters on LAPS are deduced, and a basis for fabrication of high performance LAPS is set. |
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| Keywords: | light addressable potentiometric sensor minority carrier electrolyte |
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