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| 杂质对(CdSe)m/(ZnSe)n应变半导体材料的影响 | |
| 引用本文： | 王际超,张国英,刘贵立.杂质对(CdSe)m/(ZnSe)n应变半导体材料的影响[J].沈阳工业大学学报,1999,21(1):56-59. |
| 作者姓名： | 王际超 张国英 刘贵立 |
| 作者单位： | 1. 沈阳工业大学,教务处,辽宁沈阳,110023 2. 沈阳工业大学,电子工程系,辽宁沈阳,110032 3. 沈阳工业大学,建筑工程素,辽宁沈阳,110023 |
| 摘 要： | 采用Ｔ．Ｂ－ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法，计算（ＣｄＳｅ）ｍ／ （ＺｎＳｅ）ｎ超田格应变半导体材料的总态密度、局域 态密度和分波态密度．论述了Ａｌ、Ｎａ、Ｏ、Ｐ等杂质及应变对（ＣｄＳｅ）ｍ ／（ＺｎＳｅ）ｎ超晶格应变半导体的 影响，并分析了相应状态下的要质能级，由此得出一些对新材料研究有重要参考价值的结论． |
| 关 键 词： | 应变 态度密 杂质能级 超晶格 |
| 修稿时间： | 1997-10-21 |
Influence of Impurity Energy Levels(CdSe)m/(ZnSe)n Strained-layer Semiconducter Material |
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| Wang Jichao,Zhang Guoying,Liu Guili.Influence of Impurity Energy Levels(CdSe)m/(ZnSe)n Strained-layer Semiconducter Material[J].Journal of Shenyang University of Technology,1999,21(1):56-59. | |
| Authors: | Wang Jichao Zhang Guoying Liu Guili |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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