| MOSFET在四极管控栅驱动电源中的应用 |
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| 引用本文： | 丁同海. MOSFET在四极管控栅驱动电源中的应用[J]. 电力电子技术, 2007, 41(6): 29-31 |
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| 作者姓名： | 丁同海 |
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| 作者单位： | 中国科学院等离子体物理研究所,安徽,合肥,230031 |
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| 摘 要： | 介绍了一种MOSFET的新用法.利用MOSFET截止区的漏电流ID随控制栅极电压UGS成指数关系的特性,将其串联在直流电源和四极管控制栅负载之间,通过UGS的变化来反馈控制MOSFET漏电流的大小,从而改变其负载与四极管控制栅电压的大小,最终实现四极管稳压调节输出恒定的高压给托卡马克加热用的NBI或ECH负载.驱动电源的单独调试和带动实际四极管负载的实验均表明,该设计稳定、可靠,构思巧妙,对托卡马克ECH和NBI加热所需的高压电源设计、研制具有很好的应用前景,同时也扩展了MOSFET的应用领域.
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| 关 键 词： | 高压电源/金属-氧化物-半导体场效应晶体管 四极管 |
| 文章编号： | 1000-100X（2007）06-0029-03 |
| 修稿时间： | 2006-12-19 |
Application of MOSFET in Grid Drive of Power Tetrode |
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| DING Tong-hai. Application of MOSFET in Grid Drive of Power Tetrode[J]. Power Electronics, 2007, 41(6): 29-31 |
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| Authors: | DING Tong-hai |
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| Affiliation: | Institute of Plasma Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | power supply/metal-oxide-semiconductor transistor tetrode |
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