| 两步刻蚀多晶硅提高图形陡直度 |
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| 引用本文： | 齐臣杰 徐洪涛. 两步刻蚀多晶硅提高图形陡直度[J]. 半导体技术, 2000, 25(5): 13-16 |
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| 作者姓名： | 齐臣杰 徐洪涛 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子所!北京，100084 |
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| 摘 要： | 微电子机械系统中关键工艺之一就是刻蚀出高深宽比的图形。本文对掺磷多晶硅反应离子刻蚀（ＲＩＥ）进行了研究，采用两步刻蚀工艺，ＳＦ６，ＣＦ４，Ｃｌ２ＣＦ三种气体组合，从原来４５度的各向同性刻蚀提高到７３度以上的各向异性蚀。射频功率３９０瓦时，刻蚀速率每分钟２００ｎｍ。对３．５微米厚的多晶硅，刻蚀时间在２０分钟左右，基本上达到要求。
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| 关 键 词： | 微电子机械系统 图形陡直度 多晶硅 两步刻馈 |
Improvement of Aspect Ratio by Two-Step Reaction Ion Etch on Polysilicon |
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| Qi ChenJie,Xu HongTao,Tan ZhiMin,Zhong Yan, Lin Hong, Liu LiTian. Improvement of Aspect Ratio by Two-Step Reaction Ion Etch on Polysilicon[J]. Semiconductor Technology, 2000, 25(5): 13-16 |
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| Authors: | Qi ChenJie Xu HongTao Tan ZhiMin Zhong Yan Lin Hong Liu LiTian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RIE Dry etching Anisotropic etching MEMS |
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