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1024×1024元帧转移纵向抗晕CCD图像传感器
引用本文:钟玉杰,杨洪,易学东,吴雪飞,谷顺虎,张娜. 1024×1024元帧转移纵向抗晕CCD图像传感器[J]. 半导体光电, 2023, 44(1): 14-17
作者姓名:钟玉杰  杨洪  易学东  吴雪飞  谷顺虎  张娜
作者单位:重庆光电技术研究所, 重庆 400060
摘    要:帧转移电荷耦合器件(FTCCD)主要应用于可见光信号探测,其在强光应用场合容易出现光晕现象。针对该问题,研制了帧转移纵向抗晕CCD图像传感器,该器件阵列规模为1 024×1 024元,像素尺寸为12μm×12μm。为了实现纵向抗晕功能,采用了n型埋沟-鞍形p阱-n型衬底结构,纵向抗晕倍数为200倍,器件满阱电子数为大于等于200 ke-,读出噪声小于等于80 e-,动态范围大于等于2 000∶1。

关 键 词:纵向抗晕  帧转移  电荷耦合器件  图像传感器
收稿时间:2022-08-21

1M Frame Transfer CCD Image Sensor with Vertical Antiblooming
ZHONG Yujie,YANG Hong,YI Xuedong,WU Xuefei,GU Shunhu,ZHANG Na. 1M Frame Transfer CCD Image Sensor with Vertical Antiblooming[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2023, 44(1): 14-17
Authors:ZHONG Yujie  YANG Hong  YI Xuedong  WU Xuefei  GU Shunhu  ZHANG Na
Affiliation:Chongqing Optoelectronics Research Institute, Chongqing 400060, CHN
Abstract:
Keywords:vertical antiblooming   frame transfer   CCD   image sensor
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