|
|||||
|
|
| 抗辐照SiC MOSFET模块设计与研制 | |
| 作者单位： | 华中科技大学,电气与电子工程学院,电力电子与能量管理教育部重点实验室,湖北 武汉 430074;常州瑞华电力电子器件有限公司,江苏 常州 213231 |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | 碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管 封装 电子辐照 阈值电压 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||||
|
||||||||||||||
|
||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |