| W/SiC纳米多层膜界面微结构研究 |
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| 引用本文： | 李戈扬,张流强,吴亮,施晓蓉,李鹏兴. W/SiC纳米多层膜界面微结构研究[J]. 电子显微学报, 1998, 17(2): 107-108 |
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| 作者姓名： | 李戈扬 张流强 吴亮 施晓蓉 李鹏兴 |
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| 作者单位： | 1. 上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室,上海,200030
2. 中国科学院上海冶金研究所,上海,200050 |
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| 摘 要： | 本文采用双靶交替磁控溅射方法制备了Ｗ／ＳｉＣ纳米多层膜，并用高分辨电镜对多层膜截面形貌及界面微结构进行了分析，结果表明：Ｗ／ＳｉＣ纳米多层膜具有良好的调制结构，其中Ｗ为多晶，ＳｉＣ为非晶，且Ｗ晶粒垂直于膜面的方向上的长大受到调制周期的限制，Ｗ与ＳｉＣ形成完全非共格界面，该界面具有宏观平直微观粗糙的特点，在界面上存在一个模糊的过渡层，该过渡层由Ｗ与ＳｉＣ的成份混合区和Ｗ的结构过渡区构成。
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| 关 键 词： | 钨 碳化硅 纳米多层膜 界面 微结构 |
A Study on The Interface Microstructure of W/SiC Nano|Multilayers |
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| Li Geyang,Zhang Liuqiang,Wu Liang,Shi Xiaorong,Li Pengxing. A Study on The Interface Microstructure of W/SiC Nano|Multilayers[J]. Journal of Chinese Electron Microscopy Society, 1998, 17(2): 107-108 |
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| Authors: | Li Geyang Zhang Liuqiang Wu Liang Shi Xiaorong Li Pengxing |
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