| X波段GaAs单片中功率放大器 |
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| 引用本文： | 张东平,王世林,龚邦瑞,吴允弘,林金庭. X波段GaAs单片中功率放大器[J]. 固体电子学研究与进展, 1986, 0(4) |
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| 作者姓名： | 张东平 王世林 龚邦瑞 吴允弘 林金庭 |
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| 作者单位： | 南京固体器件研究所(张东平，王世林，龚邦瑞，吴允弘)，南京固体器件研究所(林金庭) |
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| 摘 要： | 本文叙述了GaAs单片功率放大器的设计方法,给出了初步的实验结果.采用集总元件、制作在1×1.2mm芯片上的单级放大器,在1dB带宽340(8100～8440)MHz的频率内,最大小信号增益为6.5dB,5.2dB下的输出功率为100mW.
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X-Band GaAs Monolithic Medium-Power Amplifiers |
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| Abstract: | This paper deals with the design method of GaAs monolithic power amplifiers and presents some initial experimental results. A single-stage amplifier fabricated with lumped elements on a 1 ×1.2mm GaAs chip exhibits a maximum small-signal gain of 6.5dB and an output power of 100mW (Ga = 5.2dB) within 340MHz (8100-8440 MHz) of 1dB bandwidth. |
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