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| FA/O碱性清洗液对GLSI多层Cu布线粗糙度的优化 | |
| 作者单位： | ;1.河北工业大学微电子研究所 |
| 摘 要： | 采用自主研发的FA/O碱性清洗液对多层Cu布线表面粗糙度进行优化。通过改变清洗液中螯合剂与活性剂的体积分数,做单因素实验,得到最佳配比。利用原子力显微镜观察布线片表面清洗前后粗糙度的变化,电化学测试仪测试各种清洗液对晶圆表面的腐蚀情况。通过对比实验得出当FA/O碱性清洗液中FA/O II螯合剂体积分数为0.015%,O-20活性剂体积分数为0.15%时,表面粗糙度值最小为1.39 nm,而且表面和界面均没有腐蚀。 |
| 关 键 词： | CMP后清洗 FA/O碱性清洗液 FA/OⅡ型螯合剂 O-20活性剂 粗糙度 非均匀化腐蚀 |
Optimization on roughness of GLSI multilayer Cu wiring by FA/O alkaline cleaning solution |
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