| 混合电压I/O电路的ESD保护结构研究 |
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| 引用本文： | 岳震,谢俊玲,徐玲. 混合电压I/O电路的ESD保护结构研究[J]. 微处理机, 2002, 0(1): 19-22 |
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| 作者姓名： | 岳震 谢俊玲 徐玲 |
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| 作者单位： | 东北微电子研究所,沈阳,110032 |
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| 摘 要： | 给出了混合电压I／O电路坚固的ESD保护结构，它是由放大器结构的NMOS晶体管组合而成，这个保护电路由硅化物和硅化物隔离两种工艺研制而成，为了确保硅化物件指状良的一致性，增加了栅电压电路，研究电路的设计规划以避免产生寄生的击穿路径。
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| 关 键 词： | 静电放电 混合电压I／O电路 硅化物工艺 ESD保护结构 集成电路 |
| 修稿时间： | 2001-05-08 |
The investigation of ESD protection for mixed-voltage I/O |
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| Yue Zhen,et al. The investigation of ESD protection for mixed-voltage I/O[J]. Microprocessors, 2002, 0(1): 19-22 |
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| Authors: | Yue Zhen et al |
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| Abstract: | We demonstrate that NMOS transistors stacked in a cascode configuration provide robust ESD protection for mixed voltage I/O in both silicided and silicide-blocked technologies. Circuits for gate voltage modulation were added to ensure uniform finger triggering of the fully silicided device. Layout and circuit rules were developed to avoid parasitic breakdown paths. |
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| Keywords: | ESD mixed - voltage circuit stacked NMOS silicided technology HBM |
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