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| ITO/Si异质结太阳电池 | |
| 作者姓名： | 江雪生 尹万里 李桐 姚克贤 |
| 作者单位： | 北京市太阳能研究所(江雪生，尹万里，李桐)，北京市太阳能研究所(姚克贤) |
| 摘 要： | 铟锡氧化物/硅太阳电池,简称ITO/Si太阳电池,其优点是结构简单,避免高温扩散工艺,不仅适用于单晶材料,更适用于多晶和非晶材料,有较好的短波响应,形成p-n结的ITO膜又可兼作减反射膜。ITO/Si太阳电池的制作,可以采用喷涂、真空蒸镀、溅射和化学气相沉积等方法。本文仅介绍真空蒸镀法制作ITO/Si太阳电池。 |
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