适合于微波单片集成电路用的离子注入PBN LEC GaAs短暂的无盖层退火方法

在最近高阻半绝缘PBN LEC GaAs作为注入基质和稳定介质的可达性基础上,研制了一种离子注入GaAs的高温无盖层的活化方法。这种新的无盖层工艺,“短暂的无盖层退火”方法已经显示出很强的注入剂量活化作用(85％),同时具有很高的均匀性(±4.5％),在1.5×10~(17)cm~(-3)的情况下具有很陡(500(?)/十倍)的载流子浓度深度分布。在肖特基势垒表面耗尽层深度小于1000(?)时,由活化薄膜得到的霍尔测量结果给出室温下的电子迁移率为4500cm~2/V·s。用非连续注入~(29)Si~+的短暂的无盖层退火方法制造的S波段集成电路,在3.0～3.6GHz之间提供出20dB的增益和29dBm的输出功率。短暂无盖层退火的高生产率,批量加工的特点使这种工艺对于高成品率的GaAs集成电路生产来说具有工业上的吸引力。