| MBE AI/GaAs界面反应和真空热处理效应 |
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| 引用本文： | 钟战天,陈宗圭,邢益荣,孙殿照,沈光地.MBE AI/GaAs界面反应和真空热处理效应[J].半导体学报,1986,7(2):196-201. |
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| 作者姓名： | 钟战天 陈宗圭 邢益荣 孙殿照 沈光地 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所
(钟战天，陈宗圭，邢益荣，孙殿照)，中国科学院半导体研究所(沈光地) |
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| 摘 要： | 利用分子束外延(MBE)设备生长了AI/GaAs(100)肖特基结.通过C-V和I-V电学特性测量看到,肖特基势垒高度随热处理温度上升而增高(≤450℃).同时利用AES和XPS表面分析技术以及喇曼散射光谱研究界面结构、化学反应以及热处理引起的互扩散.实验结果表明,在富As的MBE GaAs(100)-C(2× 8)表面上淀积Al而形成的界面存在AlAs化合物;在较高的温度(≥450℃)下热处理,加剧了界面中的化学反应,并导致元素的互扩散,从而破坏了理想的突变结,使电学性能变差;还鉴别出由于Al进入GaAs层中置换Ga而形成Al_xGa_(1-x)As固溶体
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