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| 12GHz GaAs FET放大器 | |
| 引用本文： | 任国屋.12GHz GaAs FET放大器[J].固体电子学研究与进展,1984(1). |
| 作者姓名： | 任国屋 |
| 摘 要： | <正> 1983年南京固体器件研究所研制定型的GaAs FET,在频率高达12GHz时,有优良的微波性能。该器件的噪声系数最佳水平F_(min)≤1.5dB,已与近年来国际上同类产品的先进水平相当。此器件的研制成功,为制作卫星通讯中12GHz FET放大器解决了关键性器件。 WC60型GaAs FET是凹槽结构,栅长为0.5μm,采用1.8×1.8mm方形金属陶瓷管壳气密封装。该器件的典型“S”参数列于表1。 |
12GHz GaAs FET Amplirier |
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