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| 专利实例 | |
| 引用本文： | 贾奇贤. 专利实例[J]. 电镀与精饰, 2002, 24(2) |
| 作者姓名： | 贾奇贤 |
| 作者单位： | |
| 摘 要： | 电镀铜两则2 0 0 2 2 0 1 适于电镀半导体晶片的硫酸铜镀液该硫酸铜镀液组成为 :五水硫酸铜 80～ 1 40g/L;硫酸 1 80～ 2 5 0 g/L;Cl-离子 2 0～ 90 mg/L;阻化电沉积过程的高分子表面活性剂 0 .0 5～ 2 0 g/L;加速电沉积速度的硫族饱和有机化合物 1～ 2 0mg/L;控制铜镀层平整性的有机染料 0 .1～ 2 0mg/L。该镀液适用于表面具有亚微米级空隙的半导体晶片表面的镀覆 ,这些空隙可被电镀铜层完全覆盖 ,并且所得铜层具有高度的均匀性 ,电沉积速度快。(日本专利 ) JP2 0 0 0 2 4 8397- A( 2 0 0 0 - 0 9- 1 2 )2 0 0 2 2 0 2 厚度均匀… |
Translated and Compiled by QIN Qi-xian |
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