| 一种3.5 GHz LTE应用的30W40％效率GaN Doherty功放设计 |
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| 引用本文： | 陈志勇,李昂,曾瑞峰,祝超,张吕,陈新宇.一种3.5 GHz LTE应用的30W40％效率GaN Doherty功放设计[J].固体电子学研究与进展,2019,39(1):5-9,63. |
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| 作者姓名： | 陈志勇 李昂 曾瑞峰 祝超 张吕 陈新宇 |
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| 作者单位： | 南京国博电子有限公司,南京,211100;南京国博电子有限公司,南京,211100;南京国博电子有限公司,南京,211100;南京国博电子有限公司,南京,211100;南京国博电子有限公司,南京,211100;南京国博电子有限公司,南京,211100 |
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| 摘 要： | 设计了一款适用于多载波聚合,满足160 MHz LTE信号带宽下适用数字预失真技术(DPD)校正的GaN Doherty功放。测试结果表明,在3.4～3.6 GHz的工作频率范围内,使用脉冲信号测试时,功率放大器的饱和输出功率大于54 dBm,在输出回退功率44.8 dBm时的效率大于40%,平均功率增益为13.5 dB。电路的初始ACPR值为-33 dBc,利用DPD平台对该功率放大器进行校正可将ACPR改善20 dBc左右,达到-51 dBc以下,从而达到系统应用的要求。
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| 关 键 词： | 氮化镓 Doherty功放 长期演进 数字预失真 |
Design of a 30 W 40% Efficiency GaN Doherty Power Amplifier for 3.5 GHz LTE Application |
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