| Ge2Sb2Te5相变存储单元有源区对RESET电流影响的研究 |
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| 引用本文： | 王玉菡,曾自强,王玉婵,王月青. Ge2Sb2Te5相变存储单元有源区对RESET电流影响的研究[J]. 固体电子学研究与进展, 2019, 39(1): 59-63 |
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| 作者姓名： | 王玉菡 曾自强 王玉婵 王月青 |
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| 作者单位： | 重庆理工大学电气与电子工程学院,重庆,400054;重庆航天职业技术学院电子工程系,重庆,400021;重庆邮电大学光电工程学院,重庆,400065;上海复旦微电子集团股份有限公司,上海,200433 |
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| 基金项目： | 重庆理工大学青年科研项目;重庆邮电大学博士启动基金;重庆邮电大学自然基金项目;重庆市教委科学技术研究项目;重庆市教委科学技术研究项目;国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 应用透射电子显微镜技术和数值模拟计算,对基于材料Ge_2Sb_2Te_5的相变存储器单元有源区RESET电流的影响进行了研究,主要包括有源区晶粒结构和晶粒区域大小对RESET电流的影响。综合分析透射电子显微镜、数值模拟和实际测试结果,最终发现通过得到较大的材料晶粒为立方晶相的有源区域,可以有效地降低后续操作的RESET电流。
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| 关 键 词： | 相变存储器 RESET电流 有源区 透射电子显微镜 数值模拟 |
Study on the Influence of RESET Current Due to the Active Area of Phase Change Memory Cell Based on Ge_2Sb_2Te_5 |
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