| In0.53Ga0.47As/InP高速光电二极管材料生长及光电性能 |
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| 引用本文： | 吴超瑜,刘超,冯彦斌,高文浩,高鹏,付贤松,宁振动.In0.53Ga0.47As/InP高速光电二极管材料生长及光电性能[J].固体电子学研究与进展,2019,39(2):123-126. |
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| 作者姓名： | 吴超瑜 刘超 冯彦斌 高文浩 高鹏 付贤松 宁振动 |
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| 作者单位： | 天津工业大学电子与信息工程学院,天津,300160;天津三安光电有限公司,天津,300160;天津三安光电有限公司,天津,300160;天津工业大学电子与信息工程学院,天津,300160;天津三安光电有限公司,天津,300160;厦门大学物理系,福建,厦门,361005 |
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| 基金项目： | 天津市科技支撑计划;国家科技重大专项;国家科技重大专项 |
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| 摘 要： | 利用低压MOCVD技术制备PIN结构的InP基InGaAs外延材料。采用分层吸收渐变电荷倍增(SAGCM)结构,通过两次Zn扩散、多层介质膜淀积、Au/Zn p型欧姆接触、Au/Ge/Ni n型欧姆接触等标准半导体平面工艺,设计制造正入射平面In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP雪崩光电二极管器件。该器件采用与InP衬底晶格匹配的In_(0.53)Ga_(0.47)As材料做吸收层,InP材料做倍增层,同时引入InGaAsP梯度层。探测器件光敏面直径50μm,器件测试结果表明该器件光响应特性正常,击穿电压约43 V,在低于击穿电压3 V左右可以得到大约10 A/W的光响应度,在0 V到小于击穿电压1 V的偏压范围内,暗电流只有1 nA左右。光电二极管在8 GHz以下有平坦的增益,适用于5 Gbit/s光通信系统。
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| 关 键 词： | 金属有机化学气相沉积 通信 分层吸收渐变电荷倍增 雪崩光电二极管 |
In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP High Speed Photodiode Material Growth and Opto-electric Characterization |
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