HCVD法生长InN纳米棒的可控制备及表征 |
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作者单位: | 太原理工大学 材料科学与工程学院,太原 030024;太原理工大学 新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原 030024 |
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基金项目: | 国家自然科学基金;山西省自然科学基金 |
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摘 要: | 实验通过自制的卤化物化学气相沉积(HCVD)装置在Si(111)衬底上实现了InN纳米棒的可控生长。系统研究了InCl_3源区温度、NH_3流量和N_2载气流量对InN纳米棒生长的影响,并利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS)对样品结构,形貌和元素组成进行了表征。结果表明,InCl_3源区温度的升高,有利于提高生长区InN纳米棒的形核率和生长速率;NH_3流量大小对InN纳米棒晶体质量有重要影响,适量NH_3流量会满足In源生长需要的Ⅴ/Ⅲ比,改善纳米棒晶体质量,当NH_3流量过大时,In空位缺陷的形成会使晶体质量变差;N_2载气流量大小会影响In源和N源的浓度和偏压,从而能有效调控InN纳米棒直径和生长速率。研究实现了InN纳米棒的可控生长,为开发高性能InN纳米棒器件奠定了基础。
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关 键 词: | HCVD InCl3 InN纳米棒 NH3流量 载气流量 |
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