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| HCVD法生长InN纳米棒的可控制备及表征 | |
| 作者姓名： | 朱佳 岳明月 李天保 刘培植 郭俊杰 许并社 |
| 作者单位： | 太原理工大学 材料科学与工程学院,太原 030024;太原理工大学 新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原 030024 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;山西省自然科学基金 |
| 摘 要： | 实验通过自制的卤化物化学气相沉积(HCVD)装置在Si(111)衬底上实现了InN纳米棒的可控生长.系统研究了InCl3源区温度、NH3流量和N2载气流量对InN纳米棒生长的影响,并利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS)对样品结构,形貌和元素组成进行了表征.结果表明,InCl3源区... |
| 关 键 词： | HCVD InCl3 InN纳米棒 NH3流量 载气流量 |
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