| 6.5kV,25 A 4H-SiC功率DMOSFET器件 |
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| 引用本文： | 李士颜,刘昊,黄润华,陈允峰,李赟,柏松,杨立杰. 6.5kV,25 A 4H-SiC功率DMOSFET器件[J]. 固体电子学研究与进展, 2019, 39(1) |
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| 作者姓名： | 李士颜 刘昊 黄润华 陈允峰 李赟 柏松 杨立杰 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所,宽禁带半导体电力电子国家重点实验室,南京,210016;南京电子器件研究所,宽禁带半导体电力电子国家重点实验室,南京,210016;南京电子器件研究所,宽禁带半导体电力电子国家重点实验室,南京,210016;南京电子器件研究所,宽禁带半导体电力电子国家重点实验室,南京,210016;南京电子器件研究所,宽禁带半导体电力电子国家重点实验室,南京,210016;南京电子器件研究所,宽禁带半导体电力电子国家重点实验室,南京,210016;南京电子器件研究所,宽禁带半导体电力电子国家重点实验室,南京,210016 |
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| 摘 要： | <正>与硅IGBT相比,SiC高压功率DMOSFET器件的导通电阻和开关损耗更低,工作温度更高,在智能电网的应用中具有巨大的应用前景。南京电子器件研究所研制出一款6.5kV25ASiC功率DMOSFET器件。建立了高压SiC DMOSFET仿真模型并开展元胞结构设计,通过采用低界面态密度栅极氧化层制备以及JFET区选择掺杂等先进工艺技术,在60μm厚外延层上制备了6.5 kV SiC DMOSFET,芯片有源区尺寸37 mm~2。该器件击穿电压大于6.9 kV,导通电流大于25 A,峰值有效沟道迁移率为23 cm~2/(V·s),比导通电阻降低到44.3 mΩ·cm~2,缩小了与国际先进水平的差距。
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6.5 kV, 25 A 4H-SiC Power DMOSFET |
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